電子情報技術部会 次世代エレクトロニクス分科会 講演会 「次世代半導体デバイスのための最先端材料」の詳細



イベント名 電子情報技術部会 次世代エレクトロニクス分科会 講演会 「次世代半導体デバイスのための最先端材料」
日時 2019-03-29 14時0分~18時0分
場所 当協会会議室
概要 ※受付は13:30からです。

講演(1)14:00~15:25 ○

講師:
小池 淳一 氏
東北大学 未来科学技術共同研究センター 教授

演題:
「IC多層配線材料のこれまでとこれから」

要旨:
集積回路の多層配線においてCu-Mn合金が広く用いられている。一方で、10nmノード以降のCuの抵抗率上昇の課題に対応するための銅代替材料が求められている。講演ではこれまでの配線としてCu-Mn合金の開発経緯とバリア層自己形成メカニズムを解説するとともに、これからの配線として金属間化合物を提案し、ライナー層とバリア層不要で良好な特性・信頼性が得られた最新の成果を示す。

講演(2)15:35~17:00 ○

講師:
高橋 昭雄 氏
横浜国立大学 工学研究院 産官学研究員、横浜市立大学 客員教授

演題:
「SiC等次世代パワーデバイスモジュール用実装材料の開発と評価」

要旨:
パワーデバイスは、省エネルギーの決め手となる半導体素子であり、商用電源からの電気を必要最小限の電力に調節するためのコンバータやインバータに多用されている。その使用範囲は広く、自動車、発電・送電等の産業機器、エアコン等の家電機器、電車・船舶等にわたる。究極の省エネ技術としてSiC等の次世代デバイスの適用が始まっている。200℃を超える温度でも動作可能であるこれらのデバイスをフル活用するために、高温に耐える実装技術開発が必須となっている。高耐熱樹脂を中心に実装材料開発の現状と評価及び将来方向について述べる。

※当協会と受信契約を結ばれている会員企業ではサテライト配信でも聴講いただけます。

懇親会 17:00~18:00

申込締切り 3月28日(木)

参加費・懇親会費について 参加費: 会 員:無料(会員リスト:http://www.jaci.or.jp/about/page_06.html )
      非会員:10,000円 (当日受付でお支払い下さい。)
懇親会費:無料
募集人数 80 人