先端化学・材料技術部会 新素材分科会講演会のご案内 「化合物半導体エピタキシャル成長を基盤とした新機能ナノワイヤ材料の開拓」「斜め蒸着法による薄膜の微細構造の制御と応用」の詳細
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| イベント名 | 先端化学・材料技術部会 新素材分科会講演会のご案内 「化合物半導体エピタキシャル成長を基盤とした新機能ナノワイヤ材料の開拓」「斜め蒸着法による薄膜の微細構造の制御と応用」 |
| 日時 | 2016-02-29 14時00分～18時00分 |
| 場所 | 当協会会議室 |
| 概要 | ＊ 受付は１３：３０からとなります ＊ 講演(1) １４：００～１５：３０ 〇 講師：石川 史太郎 氏 愛媛大学大学院理工学研究科 准教授 演題：「化合物半導体エピタキシャル成長を基盤とした新機能ナノワイヤ材料の開拓」 要旨：ナノスケールの針状結晶”ナノワイヤ”は、２０００年代にその結晶成長や物性 制御、応用技術が大きく発展し、究極の小型レーザや発電素子など、現在同材 料を用いた各種次世代デバイス実現が期待されている。本研究では高い移動度 および光学特性を有する化合物半導体GaAs系ヘテロ構造ナノワイヤへ、エピタ キシャル成長技術を用いて、窒素、ビスマス、および酸素（酸化物）を導入・融合 することで発現する新物性と、その応用可能性について紹介する。 講演(2) １５：３０～１７：００ 〇 講師：鈴木 基史 氏 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 教授 演題：「斜め蒸着法による薄膜の微細構造の制御と応用」 要旨：薄膜の内部の形態を再現性よく制御することができれば、材料そのものの機能性 に加えて形態によって発現する様々な有用性を利用することが可能になる。 近年のリソグラフィ技術のめざましい発展によって、nmレベルの微細加工も可能で あるが、大面積に低コストで3次元形態を形成することは依然として困難である。 これに対して薄膜の成長メカニズムを巧みに利用すれば、自己組織的なナノ形態 の制御が可能である。その有力な方法の一つが斜め蒸着法である。本講演では、 形態や特性は面白いが実用性には疑問符を付されることが多い斜め蒸着膜の実用 性に敢えて重点を置き、近年の研究開発動向と、最近の我々の研究を基に実用化 された製品について紹介する。 懇親会 １７：００～１８：００ 申込締切り：2月25日(木) |
| 参加費・懇親会費について | 参加費：当日受付でお支払いください。 会員:無料（会員リスト：http://www.jaci.or.jp/about/page_06.html) 上記以外：10,000円 懇親会費：無料 |
| 募集人数 | 100 人 |