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イベント名 | 電子情報技術部会 次世代エレクトロニクス分科会 講演会「パワーデバイスに必要とされる実装技術の最新動向と材料ニーズ」 |
日時 | 2014-11-25 14時00分~18時00分 |
場所 | 当協会会議室 |
概要 | 講演会 14:00~18:00 *受付開始は13時半からです* 講演(1)14:00~15:30 〇 講師:池田 良成 氏 富士電機株式会社 技術開発本部 電子デバイス研究所 次世代モジュール開発センター パッケージ開発部 パッケージグループ マネージャー 演題:「パワー半導体モジュールにおけるパッケージ・実装技術」 要旨:近年、環境問題から省エネルギーへの関心が高まって来ている。 省エネルギーを実現する電力変換装置においてキーデバイスと なっているパワー半導体と、パワーモジュールに適用されている パッケージ技術(構造設計、熱設計など)、実装および信頼性技術 に関して紹介をする。また、実用化が始まったSiCデバイスを搭載 するパッケージ技術に関しても紹介をする。 講演(2)15:30~17:00 〇 講師:金近 幸博 氏 株式会社 トクヤマ 特殊品部門 特殊品開発グループ 主席 演題:「パワーデバイス用窒化アルミニウムの開発と最新動向」 要旨:窒化アルミニウム(AlN)は高い熱伝導率、高い電気絶縁性、シリコンに 近い熱膨張係数など優れた特性を持つことからパワーデバイス(PD)用 放熱・絶縁基板として用いられている。PD素子は省エネルギー型の電力 制御部品として今後需要が益々増加すると考えられている。PD用放熱・ 絶縁基板には高放熱性、絶縁性と共に、熱応力に対する高い信頼性が 要求される。本発表では、PD用AlN材料の技術開発の最新動向について 述べる。 懇親会 17:00~18:00 申込締切り 11月20日(木) |
参加費・懇親会費について | 参加費: 当日受付でお支払いください。 会員:無料(会員リスト:http://www.jaci.or.jp/about/page_06.html) コラボレーションメンバー:無料 上記以外:10,000円 懇親会費:無料 |
募集人数 | 100 人 |