電子情報技術部会　ナノフォトニクスエレクトロニクス交流会　講演会 「二次元材料の最新動向」【開催延期】の詳細


イベント名 電子情報技術部会　ナノフォトニクスエレクトロニクス交流会　講演会 「二次元材料の最新動向」【開催延期】
日時 2020-08-07 14時00分～17時00分
場所 JACI会議室
概要 【本講演会は延期となりました。開催が決まりましたら再度案内致します。】

講演（１）１４：００－１５：２５　○

講師：丸山 茂夫　氏
東京大学　大学院　工学系研究科　機械工学専攻　教授

演題：「１次元・２次元材料のCVD合成とヘテロ構造」

要旨：
１次元材料である単層カーボンナノチューブ，２次元材料のグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドのCVD合成技術についての最近の動向を概観する．また，単層カーボンナノチューブと同軸の窒化ホウ素ナノチューブやMoS2ナノチューブなどの１次元ヘテロナノチューブのCVD合成，透過型電子顕微鏡評価，光学評価とデバイス応用の可能性などを議論する．

講演（２）１５：３５－１７：００　○

講師：若林 整　氏
東京工業大学　工学院　電気電子系　教授

演題：「二次元材料の最新動向」

要旨：
二次元材料の最新動向についてBenchmarkと共に議論する。その後、半導体を中心に、原子層状MoS2膜や高移動度ZrS2膜の研究結果について紹介する。特に、真の性能を引き出すために必要である真性半導体化が困難であるが、スパッタリング成膜により実現できることを示し、それによるNormally-off特性を持つMoS2 nMOS容量とMoS2 nMOSFETの測定結果について示す。

※懇親会は開催しません。

参加申込み：当協会のホームページよりお申し込み下さい。
　申込み締切　８月６日（木）
（定員になり次第、募集を締め切らせていただきます）

※当日のすべての講演は、協会と受信契約を結ばれている会員企業におけるサテライト配信でもご聴講いただけます。

※聴講者の皆様へのお願い
　・感冒症状がある方、特に発熱のある方は参加をご遠慮下さい。
　・参加される方はご自身でマスクをご準備のうえ、着用して下さい。
　・手洗い、うがいなどの予防措置を積極的にお願いします。
　・やむを得ず個別イベントの開催を中止あるいは変更する場合は、
　　参加お申し込み者に個別にご連絡致します。
参加費・懇親会費について 参加費
会員：無料（会員リスト：http://www.jaci.or.jp/about/page_06.html）
非会員：11,000円（当日受付でお支払いください）
募集人数 20 人